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J-GLOBAL ID：201002254395640032   整理番号：10A0685097

193nm装置によるEUVマスクブランクの検査

Inspecting EUV mask blanks with a 193-nm system

著者 (4件)： STOKOWSKI Stan (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  GLASSER Joshua (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  INDERHEES Gregg (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  SANKURATRI Phani (Phani Sankuratri, CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7636  号： Pt.1  ページ： 76360Z.1-76360Z.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVマスクブランクと基板を検査するための深紫外線装置の特性データとシミュレーション結果を示した。多層表面,反射防止膜被覆吸収体,石英基板上の相欠陥と粒子を考察した。シミュレーションでは,多層膜粗さの低減を仮定すれば,相欠陥検出に対する22nmノード要件は満たされる。堆積したSiO₂球の初期検査は多層膜及び石英上で少なくとも40nmの感度を示した。これより小さい較正済球が得られないために,<40nmの試験はできなかった。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  フォトリソグラフィー ,  ブランク ,  *紫外線 ,  計算機シミュレーション ,  多層膜 ,  反射防止膜 ,  *検出 ,  半導体プロセス ,  回路パターン形成
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  *欠陥検出

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVマスク ,  ブランク ,  検査