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J-GLOBAL ID:201002254483673765   整理番号:10A0605529

誘導結合プラズマエッチングしたAl0.65Ga0.35N表面に対する無線周波数電力の効果

Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface
著者 (7件):
資料名:
巻: 256  号: 21  ページ: 6254-6258  発行年: 2010年08月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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X線光電子分光法(XPS)および輸送長法(TLM)により高いAlモル分率のAlxGa1-xN(x=0.65)の表面および電気的特性に対するエッチング効果を無線周波数電力の関数として特性評価した。XPS結果は,ICPエッチング後にGa-NおよびAl-Nピークが低エネルギー側に移動することを示した。RF電力とともにエッチした試料に対して酸素量の増大と窒素量の減少を観測した。450°Cでのアニーリングは,C-O成分に由来すると思われる酸素量を除去し,そしてエッチした試料の表面上のN欠乏を回復するのに部分的に有効である。TLMから抽出したAlGaN層のシート抵抗はRF電力の増加とともにICP後に徐々に増大した。エッチした試料のXPSピークと電気的性質間の相関を検討し,p-i-n AlGaN太陽ブラインドUV検出器の逆漏洩電流に対するアニーリング効果を調べた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  測光と光検出器一般 
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