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J-GLOBAL ID：201002254786019120   整理番号：10A0492398

InGaNのチャネルを持つ窒化物を基本とする二次元ヘテロ構造における移動度を制限する散乱機構

Mobility limiting scattering mechanisms in nitride-based two-dimensional heterostructures with the InGaN channel

著者 (11件)： GOEKDEN S (Balikesir Univ., Balikesir, TUR) ,  TUELEK R (Balikesir Univ., Balikesir, TUR) ,  TEKE A (Balikesir Univ., Balikesir, TUR) ,  LEACH J H (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  FAN Q (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  XIE J (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  OEZGUER UE (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  MORKOC H (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  LISESIVDIN S B (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  LISESIVDIN S B (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  OEZBAY E (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045024,1-7  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合金組成の異なるAlInN/AlN/InGaN/GaNから成るヘテロ構造の輸送特性を,Hall効果の温度依存性に基づいて研究した。全てのヘテロ構造における散乱機構を解析し,高温域および低温域における支配的な散乱機構を決定することができた。輸送特性を支配する散乱機構を研究した結果,InGaNのチャネルを有する素子の移動度を制限する散乱は界面の粗さであると結論づけることができた。また,AlInN障壁におけるInの量を増すと,チャネル/障壁の界面は滑らかになることが分かった。これらの結果をGaNのチャネルを持つ通常のHEMTと比較した結果から,GaNのチャネルを持つ通常のHEMTにおける移動度は光学フォノンおよび音響フォノンによる散乱によって制限されていることが分かった。更に,原子間力顕微鏡観測から,界面は滑らかであることが判明した。一方,AlInNによって構成される障壁層内のIn濃度が18%の試料におけるシート抵抗は最低の360Ω/□であることが分かった。このシート抵抗の値はGaNのチャネルを持つ通常のHEMTにおけるシート抵抗の値と同程度である。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *キャリア移動度 ,  *キャリア散乱 ,  界面 ,  表面粗さ ,  ポテンシャル障壁 ,  チャネル ,  HEMT ,  フォノン ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  光学フォノン ,  音響フォノン

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  チャネル ,  窒化物 ,  ヘテロ構造 ,  移動度 ,  制限 ,  散乱