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J-GLOBAL ID：201002254815821305   整理番号：10A0356259

La及びAl誘起双極子がある極端にスケーリングしたSiO₂/HfO₂ゲートスタックにおける移動度劣化の物理的原因

Physical origins of mobility degradation in extremely scaled SiO₂/HfO₂ gate stacks with La and Al induced dipoles

著者 (6件)： ANDO Takashi (IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  COPEL Matt (IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  BRULEY John (IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  FRANK Martin M. (IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  WATANABE Heiji (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  NARAYANAN Vijay (IBM T. J. Watson Res. Center, 1101 Kitchawan Road, Rt 134, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 13  ページ： 132904  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂絶縁体を用いた金属ゲート誘起の界面層(IL)スケーリングを実証して,このプロセスの基礎になる動力学を明らかにした。電子移動度に及ぼす固有ILスケーリングの影響をLa及びAl誘起双極子効果と分離した。Laを含む高κ絶縁体における移動度の劣化はLa誘起双極子ではなく固有ILスケーリング効果であり,Al誘起双極子は追加の移動度劣化を引き起こすことが分かった。La誘起双極子の独特な性質はILスケーリングと組み合わせた時に外因的な移動度の劣化無しに酸化物換算厚みを0.42まで著しくスケーリングすることができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁材料 ,  *酸化ハフニウム ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  ランタン ,  *二酸化ケイ素 ,  積層構造 ,  *誘電体薄膜 ,  境界層 ,  スケーリング【計数】 ,  *キャリア移動度 ,  不均一系反応 ,  *MOS構造 ,  容量電圧特性 ,  膜厚 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 界面層 ,  界面反応 ,  界面分極 ,  酸化物換算厚み

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： La ,  Al ,  スケーリング ,  SiO2 ,  HfO2 ,  ゲートスタック ,  移動度 ,  物理 ,  原因