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J-GLOBAL ID：201002254976949140   整理番号：10A0776999

ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン

Photo corrosion of Metal Gate Electrodes during Wet

著者 (3件)： 渡邊大祐 (ダイキン工業) ,  木村千春 (大阪大 大学院工学研究科) ,  青木秀充 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 80(ED2010 33-47)  ページ： 69-74  発行年： 2010年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代の高誘電率材料(High-K)ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造(High-K/メタルゲート構造)におけるHigh-K膜除去プロセスにおいて発生するガルバニックコロージョンは,光照射によって,コロージョン速度が加速されることが懸念される。本研究では,High-K膜除去プロセスにおけるガルバニックコロージョンに対しての光照射の影響を検討した。その結果,n型Siでは,光照射によってガルバニックコロージョンは加速されることが明らかになった。Siのバンドギャップエネルギー以上の光エネルギーの照射によって,ガルバニックコロージョンが加速されることも明らかになり,可視光の全域を遮断することが重要である。界面活性剤による防食を試みたが,光コロージョンに対しては,防食の効果はあまり見られなかった。したがって,High-K/メタルゲートにおける光コロージョンは,特にn型poly-Siに対して,Siのバンドギャップ以上の光,つまり可視光全域を遮断するプロセスが重要であることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *誘電材料 ,  酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  電極材料 ,  腐食 ,  *湿式法 ,  *半導体プロセス ,  光照射 ,  腐食速度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高誘電率材料 ,  high-k材料 ,  メタルゲート ,  コロージョン ,  *ウェットプロセス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• GARAUD, S. Abs of UCPSS, 2006. 2006, 113
• WATANABE, D. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 2425
• WATANABE, D. IEICE Technical Report ED. 2007, 7-11
• HOMMA, Y. J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 1193
• YAMAGUCHI, H. Proceedings of International Interconnect Technology Conference (IITC), 2000. 2000, 264

タイトルに関連する用語 (3件)： ウェットプロセス ,  メタルゲート ,  コロージョン