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J-GLOBAL ID：201002255108124629   整理番号：10A0470926

SiC上に懸架したグラフェンの接触コンダクタンス測定

Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC

著者 (4件)： NAGASE Masao (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO Hiroki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAGESHIMA Hiroyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGUCHI Hiroshi (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 4  ページ： 045101.1-045101.3  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCの下に部分エッチングで作った懸架グラフェン膜構造の特性を原子間力顕微鏡を用いて明らかにした。地形学と電気コンダクタンス・イメージの接触力依存を金属(Rh)被覆マイクロプローブで測定した。局所懸架グラフェンの接触抵抗値は,およそ80μΩcm²であると見積った。これは,SiC上に通常育てた囲まれたグラフェンの10000倍大きい。局所懸架グラフェンの非線形電流-電圧特性は,金属ナノ接合と懸架グラフェンの間のトンネル接合形成を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  グラファイト ,  *接触抵抗 ,  エッチング ,  薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  非線形性 ,  トンネル接合 ,  グラフェン

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (15件)：

• NOVOSELOV, K. S. Science. 2004, 306, 666
• BOLOTIN, K. I. Solid State Commun. 2008, 146, 351
• GIOVANNETTI, G. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 026803
• LEE, E. J. H. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 486
• HUARD, B. Phys. Rev. B. 2008, 78, 121402(R)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  懸架 ,  グラフェン ,  コンダクタンス