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J-GLOBAL ID：201002255870340290   整理番号：10A0176404

電界下でのペロブスカイト型酸化物薄膜の水素原子の挙動

Behavior of hydrogen atoms in perovskite-type oxide thin films under electric fields

著者 (10件)： MORITO K. (Taiyo Yuden Co. Ltd., Gunma, JPN) ,  SUZUKI T. (Taiyo Yuden Co. Ltd., Gunma, JPN) ,  MIZUNO Y. (Taiyo Yuden Co. Ltd., Gunma, JPN) ,  SAKAGUCHI I. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  OHASHI N. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  OHASHI N. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MATSUMOTO K. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HANEDA H. (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HANEDA H. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 421/422  ページ： 281-284  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト型酸化物薄膜キャパシタに存在する水素原子の電界による挙動を二次イオン質量分光(SIMS)で調べ,膜の電気的性質と水素との関係を調べた。Ba_0.5Sr_0.5TiO₃(BST)をRFスパッタリングで作製後,N₂+D₂(1.5%)/400°Cで1分処理し,高度促進寿命試験を行った。その結果,水素はアノードからBST薄膜キャパシタに入り,電界によりカソードへ拡散した。BST薄膜キャパシタのI-V特性の劣化を水素濃度分布により説明した。

シソーラス用語： *磁器コンデンサ ,  *薄膜コンデンサ ,  誘電体薄膜 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *水素 ,  原子 ,  *電気化学的挙動 ,  電流電圧特性 ,  劣化 ,  濃度分布 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  蒸着膜 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  白金めっき
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *チタン酸バリウムストロンチウム

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界 ,  ペロブスカイト ,  酸化物薄膜 ,  水素原子 ,  挙動