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J-GLOBAL ID：201002256477355673   整理番号：10A1542862

集束イオンビーム化学蒸着により作成した3次元ダイヤモンド型炭素ナノ構造の圧抵抗効果

Piezoresistive effect in the three-dimensional diamondlike carbon nanostructure fabricated by focused-ion-beam chemical vapor deposition

著者 (4件)： KOMETANI Reo (Graduate School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  YUSA Kouki (Graduate School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  WARISAWA Shin’ichi (Graduate School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  ISHIHARA Sunao (Graduate School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6F38  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,集束イオンビーム化学蒸着(FIB-CVD)により作成した3次元ダイヤモンド型炭素(DLC)構造の電気材料特性を評価して,この圧抵抗材料に基づく機能性3次元ナノ,及びマイクロメカニカルデバイスを実現した。しかし,FIB-CVDにより作成したDLCカンチレバー構造は,取り込まれたガリウム(Ga)が原因となって圧抵抗特性を見せなかった。GaはGa⁺FIB照射により注入した。従って,FIB-CVDにより作成した3次元DLC構造に圧抵抗特性を導入するため,材料特性を変調する方法を検討した。低温(300°C)で長時間アニーリング(12時間以上)を行うのが,圧抵抗特性を持つ3次元DLC構造を実現する有効な方法と分った。低温での長時間アニーリングによって,DLCからGaの消失が起き,sp²/(sp²+sp³)比は変化しなかった。ゲージ因子の値は2-34の範囲であった。圧抵抗特性を持つ3次元ナノ,及びマイクロ構造はFIB-CVD及びアニーリング処理によって実現できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *DLC膜 ,  *ナノ構造 ,  集束イオンビーム ,  イオンビーム蒸着 ,  化学蒸着 ,  片持梁 ,  ガリウム ,  *圧抵抗効果 ,  熱処理 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *マイクロカンチレバー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集束イオンビーム化学蒸着 ,  3次元 ,  ダイヤモンド ,  炭素 ,  ナノ構造 ,  圧抵抗効果