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J-GLOBAL ID：201002256647312788   整理番号：10A0772331

原子的に平坦なシリコン表面上での高インテグリティゲート絶縁体膜

High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface

著者 (7件)： LI X. (Tohoku Univ.) ,  KURODA R. (Tohoku Univ.) ,  SUWA T. (Tohoku Univ.) ,  TERAMOTO A. (Tohoku Univ.) ,  SUGAWA S. (Tohoku Univ.) ,  OHMI T. (Tohoku Univ.) ,  OHMI T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 183-188  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)ウェハに対する低温原子的平坦化技術を開発した。800度Cで周辺に存在する超純粋アルゴンにおけるアニーリングにより,原子的テラスと階段から構成される原子的に平坦な表面は,スリップ線欠陥を生成すること無しに全200mmウェハの中で一様に現れる。さらに,アルゴンガスの流速と垂直炉のアニーリング温度を増大させることにより,全200mmウェハ表面はより短い時間で原子的に平坦化されることが可能になる。さらに,平坦化表面上でラジカル酸化により形成される原子的に平坦なゲート酸化物/Si界面を持つMOSコンデンサは,より高いE_bdおよびQ_bdのようなより優れた絶縁特性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  二酸化ケイ素 ,  *ゲート【半導体】 ,  膜 ,  *絶縁材料 ,  焼なまし ,  アルゴン ,  流速 ,  酸化 ,  コンデンサ ,  MOS構造 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： アニーリング ,  ラジカル酸化 ,  絶縁体膜 ,  平坦化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子 ,  シリコン ,  インテグリティ ,  ゲート ,  絶縁体膜