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J-GLOBAL ID：201002257427863267   整理番号：10A0617807

前方傾斜組成ZnS_ySe_1-y/GaAs(001)ヘテロ構造中の非対称転位密度

Asymmetric Dislocation Densities in Forward-Graded ZnS_ySe_1-y/GaAs (001) Heterostructures

著者 (7件)： OCAMPO J. F. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  BERTOLI B. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  RAGO P. B. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  SUAREZ E. N. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  SHAH D. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  JAIN F. C. (Univ. Connecticut, CT, USA) ,  AYERS J. E. (Univ. Connecticut, CT, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 4  ページ： 391-399  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 傾斜組成構造は,格子不整合基板上に半導体素子を製作する上で重要な方法である。傾斜組成を持つバッファ層に急激なオーバシュート界面を加えることにより上部半導体材料中の転位密度の低減が可能である。本稿では,MOCVD法により成長させた前方傾斜組成ZnS_ySe_1-y/GaAs(001)ヘテロ構造について報告した。高分解能X線回折法を使って転位密度を調べた。その結果,傾斜組成バッファ層を持たないものは2種類のスリップ系で同じ転位密度を示したが,前方傾斜組成構造は20%多いB型転位を示し,強い傾斜組成構造は50%以上多いB型転位を示した。オーバシュート界面を挿入することにより消滅と凝集反応が促進され均一トップ層中の転位密度が低減された。しかし,B型転位はより効率的に除かれた。これらの現象について平衡計算により考察した。

シソーラス用語： 素子構造 ,  *ヒ化ガリウム ,  *格子不整合 ,  傾斜機能材料 ,  化学組成 ,  バッファ層 ,  オーバシュート ,  *転位密度 ,  エピタクシー ,  *MOCVD
準シソーラス用語： GaAs ,  *傾斜組成 ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 傾斜組成 ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  非対称 ,  転位密度