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J-GLOBAL ID：201002258403607410   整理番号：10A1060918

任意の等高線のナノリッジ製造のための収縮エッジリソグラフィーおよびプラズマエッチングの組合せ

Combining retraction edge lithography and plasma etching for arbitrary contour nanoridge fabrication

著者 (8件)： ZHAO Yiping (Univ. Twente, NLD) ,  JANSEN Henri (Univ. Twente, NLD) ,  DE BOER Meint (Univ. Twente, NLD) ,  BERENSCHOT Erwin (Univ. Twente, NLD) ,  BOUWES Dominique (iX-factory GmbH Dortmund, DEU) ,  GIRONES Miriam (Nanomi B. V., Oldenzaal, NLD) ,  HUSKENS Jurriaan (Univ. Twente, NLD) ,  TAS Niels (Univ. Twente, NLD)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 20  号： 9  ページ： 095022,1-13  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,エッジリソグラフィー(EL)とプラズマエッチングの統合による任意の等高線をもつSiナノリッジの製造に焦点を当てる。エッジリソグラフィー(EL)とフッ素-ベースのプラズマエッチングの組合せを,単結晶シリコンにおける結晶方向依存をさけるために開発した。その主な関心事は,SiOに対して高選択性で垂直な側壁と同時に滑らかな表面を提供することのできるエッチング速度50nm min^-1を有するプラズマ製法を開発することである。最初,探索したエッチング製法はマスキング材料としてCrを用いた。完全に垂直な側壁をもつナノリッジを達成したが,Crは深刻な側壁粗さの原因となった。それ故,代わりにSU-8ポリマーを用い,滑らかな表面仕上げを有する幅50nm以下で25nmから500nmの間の高さの任意のSiナノリッジを製造できる可能性を明らかにした。しかし,この手段の主な制約は,LOCOSプロセスである,それは鳥のくちばし効果および凸型隅先鋭化をもたらし,25nm以下の構造物の縦横比を10以下に制限する。

シソーラス用語： 地形要素 ,  リソグラフィー ,  *プラズマエッチング ,  *組合せ ,  酸化ケイ素 ,  材料 ,  フォトレジスト ,  LOCOS
準シソーラス用語： SU-8 ,  *エッジリソグラフィー ,  *ナノリッジ ,  マスキング材料 ,  稜線

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 等高線 ,  リッジ ,  収縮 ,  エッジ ,  リソグラフィー ,  プラズマエッチング ,  組合せ