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J-GLOBAL ID：201002259078058877   整理番号：10A1542812

UVナノインプリントリソグラフィーにおけるデモールディング(demolding)過程に及ぼす曝露線量の影響

Impact of exposure doses on demolding process in UV nanoimprint lithography

著者 (5件)： TANABE Toshiaki (Dep. of Physics and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho ...) ,  FUJII Noriyoshi (Dep. of Physics and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho ...) ,  MATSUE Masato (Dep. of Physics and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho ...) ,  KAWATA Hiroaki (Dep. of Physics and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho ...) ,  HIRAI Yoshihiko (Dep. of Physics and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： 1239  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UVナノインプリントリソグラフィー(UV NIL)でのデモールディング(demolding)過程に及ぼす曝露線量の影響を調べた。PAK-01レジストを吟味して,種々のUV線量に対して,モールドとレジストとの間の付着力に及ぼす変換比と弾性係数との依存性を調べた。また,レジストとSiO₂/Siモールドとの間の付着力も,種々の線量で測定した。その結果は,もしUV露出で化学変換が完了するとしても,レジストの弾性係数が十分に増大するまでは,上記付着力は不安定であることを示した。一方,実際のUV NIL実験でのデモールディングは,低線量では成功しなかった。これらの評価に基づいて,デモールディング欠陥を伴わない高収量UV NIL過程の実現への上首尾のデモールディングに対して,適当な露出線量を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  パターン形成 ,  紫外線 ,  *紫外線照射 ,  *照射損傷 ,  レジスト ,  照射線量 ,  付着力 ,  弾性係数 ,  依存性 ,  曝露
準シソーラス用語： *UVナノインプリントリソグラフィー ,  線量依存性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の光学的効果  (BM08040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： UVナノインプリントリソグラフィー ,  過程 ,  曝露 ,  線量