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J-GLOBAL ID：201002259395701530   整理番号：10A0550621

アルミニウムクラスタ吸着による半導性単層カーボンナノチューブのE₁₁とE₂₂バンドギャップ変調

E₁₁ and E₂₂ Bandgap Modulation of Semiconduting Single -Walled Carbon Nanotube by Adsorbing Alminium Clusters

著者 (4件)： TAKAGI Yoshiteru (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  TAKAGI Yoshiteru (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OKADA Susumu (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  OKADA Susumu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerene, Nanotubes General Symposium)
巻： 38th  ページ： 13  発行年： 2010年03月02日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  半導体 ,  *アルミニウム ,  金属クラスタ ,  吸着平衡 ,  配位混合 ,  *バンドギャップ ,  信号変調 ,  *電子構造 ,  *複合体
準シソーラス用語： アルミニウムクラスタ

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： アルミニウム ,  クラスタ ,  吸着 ,  半導性 ,  単層カーボンナノチューブ ,  バンドギャップ ,  変調