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J-GLOBAL ID：201002259412322009   整理番号：10A0391070

量子情報プロセス応用を目的としたダイアモンドナノワイヤーの作製

Fabrication of diamond nanowires for quantum information processing applications

著者 (9件)： HAUSMANN Birgit J.M. (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA) ,  HAUSMANN Birgit J.M. (Dep. of Physics, Technische Universitaet Muenchen, James Franck Str., D-85748 Garching, DEU) ,  KHAN Mughees (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA) ,  ZHANG Yinan (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA) ,  BABINEC Tom M. (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA) ,  MARTINICK Katie (Dep. of Chemical and Nuclear Engineering, The Univ. of New Mexico, 1 Univ. of New Mexico, Albuquerque, NM 87131-0001 ...) ,  MCCUTCHEON Murray (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA) ,  HEMMER Phil R. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas A&M Univ., 216H Zachry, TAMU 3128 Coll. Station, Texas 77843-3128 ...) ,  LONCAR Marko (School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., McKay Lab 219, 9 Oxford Street, Cambridge MA, 02138, USA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 5-6  ページ： 621-629  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク単結晶および多結晶ダイアモンド双方でダイアモンドナノワイヤーを実現するための設計とトップダウン作製法について報告する。数値モデルを用いて窒素空孔(NV)色中心とナノワイヤーの光学モードを研究し,放出フォトンの大きい収集効率を可能にするナノワイヤー直径の最適範囲を見出した。酸素による誘導結合プラズマ(ICP)反応性イオンエッチング(RIE)を用いてナノワイヤーを作製した。電子ビームリソグラフィ-で範囲を明確にした,スピンオンガラスおよび蒸着Auに加え,ドロップキャストしたナノ粒子(Au,SiO₂およびAl₂O₃を含む)をエッチング用マスクとして用いた。Al₂O₃ナノ粒子が最もエッチング抵抗が高いことを見出した。同時に,eビームレジストFOx(スピンオンガラス)が,ダイアモンドナノワイヤーの規則化アレイの作製に適したマスクであることがわかった。バルク単結晶および多結晶ダイアモンド双方で,ほぼ垂直な側壁を有するナノワイヤーを得ることができた。本論文で報告した多結晶ナノワイヤーの高さと直径は,それぞれ≒1μmおよび120~340nmで,200nm/minのエッチング速度を持つ。単結晶ダイアモンド(IbおよびIIa型)ナノワイヤーの場合,本論文で示した異なるダイアモンドおよびマスクに対して,高さと直径は1~2.4μmおよび120~490nmで,190~240nm/minの間のエッチング速度を持つ。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  ダイヤモンド状炭素 ,  *ナノワイヤ ,  微細加工 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  *RIE【エッチング】 ,  電子ビームリソグラフィー ,  半導体プロセス ,  アレイ ,  *エレクトロルミネセンス ,  固体素子

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子情報 ,  プロセス ,  応用 ,  作製