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J-GLOBAL ID：201002259494657860   整理番号：10A0814514

バルク・窒化アルミニウム基板上の擬形態層から作った中紫外線発光ダイオードの特性

Properties of Mid-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated from Pseudomorphic Layers on Bulk Aluminum Nitride Substrates

著者 (4件)： GRANDUSKY James R. (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  GIBB Shawn R. (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  MENDRICK Mark C. (Crystal IS, Inc., NY, USA) ,  SCHOWALTER Leo J. (Crystal IS, Inc., NY, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 7  ページ： 072103.1-072103.3  発行年： 2010年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低転位密度,なめらかな表面と高い伝導率の擬形態Al_xGa_1-xN層を得るのに高品質バルク・窒化アルミニウム基板を用いた。これらの層でピーク波長が240~260nmの範囲の中紫外線発光ダイオードを作った。擬形態量子井戸の低転位密度は,以前に発表されたデータに対し性能を改善した。ウェファー上で測定した出力は,連続波動作で5mWを超え,パルス動作で16mWであった。これは,単一ダイ(1×10^-3 cm²の活性領域)を用いて達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  基板 ,  *紫外線 ,  *発光ダイオード ,  窒化ガリウム ,  波長 ,  連続波 ,  パルス波 ,  出力

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (18件)：

• SHIBATA, T. Phys. Status Solidi C. 2003, 0, 2023
• IMURA, M. J. Cryst. Growth. 2007, 298, 257
• FAREED, Q. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L752
• PANTHA, B. N. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 241101
• HIRAYAMA, H. Phys. Status Solidi A. 2009, 206, 1176

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  窒化アルミニウム ,  紫外線 ,  発光ダイオード