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J-GLOBAL ID：201002260121511341   整理番号：10A0366266

RBa₂Cu₃O_x単結晶ホイスカの成長と異方性特性

Growth and Anisotropic Properties of RBa₂Cu₃O_x Single-Crystal Whiskers

著者 (7件)： NAGAO Masanori (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  WATAUCHI Satoshi (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  TANAKA Isao (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  OKUTSU Takashi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TAKANO Yoshihiko (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HATANO Takeshi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA Hiroshi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 3,Issue 1  ページ： 033101.1-033101.4  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RBa₂Cu₃O_x(R-123,R=Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y)の単結晶ホイスカを,名目組成R_1.5Ba_2.75-3.00Cu₃M_0.5O_x(M:Sb,Te)のSbまたはTeドーピング前駆体から成長した。ホイスカは典型的寸法(長さ2~8mm,幅20~80μm,厚さ10~30μm)でab面と平行に成長した。小イオン半径(Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y)を持つ希土類イオン(R³⁺)の場合に,R-123ホイスカはTeドーピング前駆体から成長した。Y-123とHo-123ホイスカの成長は,TeドーピングとSbドーピング前駆体を用いて確認した。一方,大きなイオン半径(Sm,Eu,Gd)を持つ希土類イオン(R³⁺)では,R-123ホイスカはSbドーピング前駆体からのみ成長した。電子線マイクロアナリシスでは,SbとTeは成長したホイスカに検出されなかった。フラックス液体状態のR-123単結晶ホイスカの異方性は,様々な磁場下においてそれらの抵抗率の角度依存性から6.0~33であると推定した。異方性は超伝導転移温度の低下によって増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *金属酸化物 ,  *単結晶 ,  *ホイスカ ,  *結晶成長 ,  異方性 ,  ユウロピウム化合物 ,  ガドリニウム化合物 ,  ジスプロシウム化合物 ,  ホルミウム化合物 ,  エルビウム化合物 ,  ツリウム化合物 ,  イッテルビウム化合物 ,  イットリウム化合物 ,  化学組成 ,  アンチモン ,  テルル ,  ドーピング ,  前駆体 ,  イオン半径 ,  電子プローブX線分析 ,  液体 ,  磁場 ,  電気抵抗率 ,  角度依存性 ,  相転移 ,  電気的性質 ,  転移温度
準シソーラス用語： 超伝導転移

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (17件)：

• H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi, and T. Asano: Jpn. J. Appl. Phys.27(1988) L209.
• M. K. Wu, J. R. Ashburn, C. J. Thorng, P. H. Hor, R. L. Meng, L. Gao, Z. J. Huang, Y. Q. Wang, and C. W. Chu: Phys. Rev. Lett.58(1987)908.
• M. Nagao, M. Sato, H. Maeda, S.-J. Kim, and T. Yamashita: Appl. Phys. Lett.79(2001)2612.
• M. Nagao, M. Sato, H. Maeda, S.-J. Kim, and T. Yamashita: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002) L43.
• M. Nagao, M. Sato, H. Maeda, K. S. Yun, Y. Takano, T. Hatano, and S.-J. Kim: Appl. Phys. Lett.82(2003)1899.

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶 ,  ホイスカ ,  成長 ,  異方性