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J-GLOBAL ID：201002261708457672   整理番号：10A0814299

GaN層へマグネシウムイオンを注入する際の結晶極性の効果

Crystal Polarity Effects on Magnesium Implantation into GaN Layer

著者 (4件)： LIU Kuan-Ting (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung County, TWN) ,  CHANG Shoou-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU Sean (Tung-Fang Inst. Technol., Kaohsiung, TWN) ,  HORIKOSHI Yoshiji (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 7,Issue 1  ページ： 071001.1-071001.4  発行年： 2010年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN層にp型ドーピングを行うために,マグネシウムイオンの注入に対する結晶極性の効果を系統的に研究した。N-極性を持つGaNにMgをイオン注入し,適当な条件でポストイオン注入アニーリングを行うと,Ga-極性を持つGaNの場合よりもX線回折ピークの半値全幅は狭く,Mg-アクセプタに束縛された励起子発光は非常に強いことが分かった。Raman散乱の実験から,N-極性を持つ成長させたままのGaN層では,Ga空格子点に起因する引張応力が生じることが分かった。更に,Hall測定の結果から,同じ条件下でMgがイオン注入され,またポストイオン注入アニーリングが行われたN-極性を持つGaNは,Ga-極性を持つGaNよりも巧くp型伝導が得られることが分かった。これらの現象は全て成長させたままのN-極性を持つGaNにおけるGa空格子点の多さに起因する。これはGa空格子点がMg-アクセプタの置換を促進し,適当なポストイオン注入アニーリングによってp型伝導を支援するからである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *イオン注入 ,  *マグネシウム ,  極性 ,  ドーピング ,  焼なまし ,  X線回折 ,  アクセプタ ,  FWHM ,  励起子 ,  Ramanスペクトル ,  空格子点 ,  引張応力 ,  Hall効果 ,  P型半導体
準シソーラス用語： 励起子発光

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (19件)：

• S. Nakamura, M. Senoh, N. Jwasa, and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys.34(1995) L797.
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku: Jpn. J. Appl. Phys.36(1997) L1059.
• D. Huang, M. A. Reshchikov, P. Visconti, F. Yun, A. A. Baski, T. King, H. Morkoc, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, and C. W. Litton: J. Vac. Sci. Tcchnol. B 20(2002)2256.
• S. Sonoda, S. Simizu, Y. Suzuki, K. Balakrishna, J. Shirakashi, and H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L73.
• S. Sonoda, S. Simizu, X. Q. Shen, S. Hara, and H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L202.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  マグネシウムイオン ,  注入 ,  結晶 ,  極性