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J-GLOBAL ID：200902105005837608   整理番号：00A0382771

NH₃を使う分子ビームエピタクシーによって成長させたウルツ鉱型GaN膜の極性の特性評価

Characterization of Polarity of Wurtzite GaN Film Grown by Molecular Beam Epitaxy Using NH₃.

著者 (5件)： SONODA S (ULVAC JAPAN Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIMIZU S (ULVAC JAPAN Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHEN X-Q (Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HARA S (Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechinical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 3A/B  ページ： L202-L204  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板を最初に高温でNH<sub>3<...

シソーラス用語： アンモニア ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• 1) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 2) J. M. Balanowski and S. Porowski: Semicond. Insul. Mater. (1996) 77.
• 3) S. Keller, B. P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra and S. P. Denbaars: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1525.
• 4) A. Bykhovski, B. Gelmont and M. Shur: J. Appl. Phys. 74 (1993) 6734.
• 5) C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, M. Razeghi and D. K. Gaskill: J. Appl. Phys. 76 (1994) 236.

タイトルに関連する用語 (7件)： NH3 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ウルツ鉱 ,  GaN ,  極性 ,  特性評価