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J-GLOBAL ID：201002263813974529   整理番号：10A0528843

三角GaNナノコラム・アレイにおける2次元分散フィードバック方式の誘導放出

Stimulated emission on two-dimensional distributed feedback scheme in triangular GaN nanocolumn arrays

著者 (12件)： KOUNO T. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KOUNO T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KISHINO K. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SAKAI M. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  SAKAI M. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  INOSE Y. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  INOSE Y. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KIKUCHI A. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI A. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  EMA K. (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  EMA K. (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 9  ページ： 644-645  発行年： 2010年04月29日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNを基板とした1次元ナノ結晶はGaNナノコラムとしてナノ構造機能デバイスへの用途が注目されている。最近,RF分子ビームエピタキシ(RF-MBE)のGaN選択エリア成長(SAG)技法が開発され,GaNナノコラムの形状と位置が精密に制御され周期配列ナノコラムアレイが製作されている。ここでは,三角GaNナノコラムアレイにおいて,各ナノコラムの頂上領域にInGaN/GaN多重量子井戸を集積化し,その下部はRFプラズマ支援分子MBEのチタンマスク選択性エリア成長法により成長させたGaNナノコラムアレイについて述べた。低光励起の下で特定波長の479.4nmにおいて光強度が増大し,特定波長の476.3nm近傍で高光励起の下で光ポンプ・誘導放出が生じた。ナノコラムアレイの光応答を数値的に解析し,2次元分散フィードバック方式において誘導放出が生じることを示した。

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  *窒化ガリウム ,  *誘導放出 ,  *多重量子井戸 ,  周期構造
準シソーラス用語： *GaN ,  *ナノコラム ,  *ナノコラムアレイ

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 三角 ,  GaN ,  ナノコラム ,  アレイ ,  2次元 ,  フィードバック ,  誘導放出