文献

J-GLOBAL ID：201002263932427250   整理番号：10A0491019

金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体メモリのプログラム実行における電荷重心の抽出に対する新方法

A New Method to Extract the Charge Centroid in the Program Operation of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories

著者 (4件)： FUJII Shosuke (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YASUDA Naoki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  FUJIKI Jun (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MURAOKA Kouichi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DD06.1-04DD06.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体(MONOS)素子の電荷重心の抽出に対する新方法を提示して説明した。電荷重心評価に対する他の既存の方法と比較して,著者らの新方法は,単純性と,メモリセルキャパシタに関する他の試験シーケンスとの両立性とに長所を有することを記した。この方法を用いて,著者らは,SiN層の厚さに対する電荷重心の依存性を調べた。その結果,厚さ14nmのSiN MONOSの電荷重心は,SiN層の中心付近に存在すること,一方,厚さ5nmのSiN MONOSは,SiN/Al₂O₃界面に重心を有することが分かった。これらの結果は,プログラム実行の間に利用できるトラップ位置が,SiN層の厚さに依存することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *記憶装置 ,  電荷分布 ,  重心 ,  容量電圧特性 ,  バンド構造 ,  プログラム実行 ,  窒化ケイ素 ,  薄膜 ,  フローティングゲート ,  電荷 ,  捕獲 ,  膜厚
準シソーラス用語： MONOS構造 ,  電荷トラップ

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (7件)：

• A. Arreghini, F. Driussi, D. Esseni, L. Selmi, M. J. van Duuren, and R. van Schaijk: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 499.
• A. Arreghini, F. Driussi, E. Vianello, D. Esseni, M. J. van Duuren, D. S. Golubovic, N. Akil, and R. van Schaijk: IEEE Trans. Electron Devices 55(2008)1211.
• H. Schauer and E. Arnord: J. Appl. Phys.50(1979)6956.
• H.-T. Lue, P.-Y. Du, S.-Y. Wang, E.-K. Lai, K.-Y. Hsieh, R. Liu, and C.-Y. Lu: Proc. IRPS, 2007, p. 177.
• T. Ishida, Y. Okuyama, and R. Yamada: Proc. IRPS, 2006, p. 516.

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  窒化物 ,  半導体メモリ ,  プログラム実行 ,  電荷 ,  重心