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J-GLOBAL ID：201002265477623740   整理番号：10A0490930

懸垂Si二重量子ドットにおける増強された電子-フォノン相互作用の実験観察

Experimental Observation of Enhanced Electron-Phonon Interaction in Suspended Si Double Quantum Dots

著者 (14件)： OGI Jun (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OGI Jun (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  FERRUS Thierry (Hitachi Cambridge Lab., Cambridgeshire, GBR) ,  KODERA Tetsuo (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Yoshishige (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  TSUCHIYA Yoshishige (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  UCHIDA Ken (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA Ken (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  WILLIAMS David A. (Hitachi Cambridge Lab., Cambridgeshire, GBR) ,  ODA Shunri (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ODA Shunri (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (JST-SORST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 045203.1-045203.5  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子-フォノン相互作用の強度を研究し,制御するためにシリコンベースの懸垂二重量子ドット(SDQD)を作製した。単一電子輸送測定において明確なそして大きな非弾性トンネル効果が観察され,懸垂膜におけるフォノン変調のために電子と強く相互作用するフォノンの放出によりよく説明された。Si SDQDにおける電子-フォノン相互作用増強の初めての観察,そして実験結果と理論的シミュレーション間の良好な一致は有望な予備的結果であり,それにより我々はSDQDにおける電子-フォノン相互作用調節の観察を構想することができる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *電子-フォノン相互作用 ,  トンネル効果 ,  半導体薄膜 ,  輸送現象 ,  *電気伝導 ,  電子輸送 ,  *二重量子ドット

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

引用文献 (28件)：

• W. G. van der Wiel, S. D. Franceschi, J. M. Elzerman, T. Fujisawa, S. Tarucha, and L. P. Kouwenhoven: Rev. Mod. Phys.75(2003)1.
• T. Hayashi, T. Fujisawa, H. D. Cheong, Y. H. Jeong, and Y. Hirayama: Phys. Rev. Lett.91(2003)226804.
• J. R. Petta, A. C. Johnson, C. M. Marcus, M. P. Hanson, and A. C. Gossard: Phys. Rev. Lett.93(2004)186802.
• T. Fujisawa, T. H. Oosterkamp, W. G. van der Wiel, B. W. Broer, R. Aguado, S. Tarucha, and L. P. Kouwenhoven: Science 282(1998)932.
• Z. J. Wu, K. D. Zhu, X. Z. Yuan, Y. W. Jiang, and H. Zheng: Phys. Rev. B 71(2005)205323.

タイトルに関連する用語 (7件)： 懸垂 ,  Si ,  二重量子ドット ,  増強 ,  電子-フォノン相互作用 ,  実験 ,  観察