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J-GLOBAL ID：201002267522988846   整理番号：10A0714211

NaフラックスLPE法によるGaN結晶の成長

Growth of GaN crystals by Na flux LPE method

著者 (7件)： MORI Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KITAOKA Y. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IMADE M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA F. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MIYOSHI N. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIMURA M. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SASAKI T. (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 6  ページ： 1283-1286  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第13族元素と窒素の化合物の高品質,低コストバルク結晶の成長法探索の一環としてNaフラックス法を改善した。核形成プロセスの制御と溶液条件がGaNバルク結晶の成長に重要である。このために,炭素ドーピングと溶液の強制的撹拌が有効であることを明らかにした。さらに種結晶の結晶品質を改善し,ブール状のバルクGaN結晶成長が可能であることを明らかにした。

シソーラス用語： *結晶成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *フラックス法 ,  ナトリウム ,  結晶核形成 ,  炭素 ,  ドーピング ,  撹拌 ,  種結晶 ,  成長速度 ,  LPE成長 ,  結晶成長速度 ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Na ,  フラックス ,  GaN ,  結晶 ,  成長