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J-GLOBAL ID：201002268051152722   整理番号：10A1104261

PL法によるシリコンウェーハ中の低濃度炭素不純物定量への取り組み(1)

著者 (3件)： 中川聰子 (コバレントシリコン) ,  鹿島一日兒 (コバレントシリコン) ,  田島道夫 (JAXA)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.16A-ZT-5  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *炭素 ,  不純物中心 ,  濃度測定 ,  電子照射 ,  低温 ,  検量線 ,  半導体 ,  *不純物分布 ,  *定量分析 ,  低濃度

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： PL法 ,  シリコンウェーハ ,  低濃度 ,  炭素 ,  不純物 ,  定量