窒化したリードオンリーメモリ様不揮発性メモリ素子におけるプログラムおよび保持の間における電荷局在化

NOWAK Etienne; VIANELLO Elisa; VIANELLO Elisa; PERNIOLA Luca; BOCQUET Marc; MOLAS Gabriel; KIES Rabah; GELY Marc; GHIBAUDO Gerard; DE SALVO Barbara; REIMBOLD Gilles; BOULANGER Fabien

文献

J-GLOBAL ID：201002269893432738 整理番号：10A0491025

窒化したリードオンリーメモリ様不揮発性メモリ素子におけるプログラムおよび保持の間における電荷局在化

Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices

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資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DD12.1-04DD12.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

標準のフラッシュメモリへの別の解は,シリコン-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン(SONOS)メモリまたは窒化したリードオンリーメモリ(NROM)など,窒化物トラップメモリによって代表されている。しかし,これらの構造は,高温での保持時間の問題に直面しており,プログラムおよび保持の間における電荷の位置の定量的解析が必要である。本研究では,NROM不揮発メモリ素子の電荷の位置を調べて,Si₃N₄,Al₂O₃およびHfO₂トラッピング層について,プログラムおよび保持条件において,トラップされた電荷の分布を評価した。プログラミングの間に,電荷は,トラッピング層の長さ40~60nmの領域にまず注入され,次に,トラップされた電荷が飽和に達した後に分布が拡大した。電荷飽和レベルを,トラップ数の限度によってではなく,静電的考察によって説明した。保持の間には,トラップされた電荷の(トラッピング層内での)横方向移動および垂直方向移動(電荷損失)を定量的に評価した。一次元(1D)ドリフトモデルに基づいて,室温での横方向移動のキャラクタリゼーションを,Si₃N₄,Al₂O₃およびHfO₂層のトラップ特性に関連付けた。(翻訳著者抄録)

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電子・磁気・光学記録

引用文献 (15件)：

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