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J-GLOBAL ID：201002269978129112   整理番号：10A0093913

(Ga,Mn)Asチャネルを持つ電気二重層トランジスタ

Electric double layer transistor with a (Ga,Mn)As channel

著者 (6件)： ENDO M. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...) ,  CHIBA D. (Semiconductor Spintronics Project, Exploratory Res. for Advanced Technol. (ERATO), Japan Sci. and Technol. Agency ...) ,  SHIMOTANI H. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MATSUKURA F. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...) ,  IWASA Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  OHNO H. (Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Katahira 2-1-1 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 2  ページ： 022515  発行年： 2010年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,電場の印加による磁性の大きな変調の可能性を検討するために,(Ga,Mn)Asチャネルを持つ電気二重層トランジスタを作製した。数ボルトのゲート電圧の印加によって,シートコンダクタンスは数十%まで変調可能であると共にCurie温度も変化した。この電圧値は,従来の金属-絶縁体-半導体構造で必要とする値よりほぼ1桁小さかった。-1~3Vの範囲のゲート電圧を印加することによる14KのCurie温度の変化は,強磁性半導体におけるこれまでの報告の中で最大の変調比であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  マンガン ,  ドーピング ,  磁性半導体 ,  強磁性体 ,  Curie温度 ,  電気伝導率 ,  コンダクタンス ,  変化 ,  電場 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  強磁性半導体 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *電気二重層トランジスタ ,  半磁性半導体

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  Mn ,  チャネル ,  電気二重層トランジスタ