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J-GLOBAL ID：201002271965856664   整理番号：10A1535523

単結晶ダイヤモンド・ウェハの開発-マイクロ波プラズマCVD法による大型化とウェハ化技術-

著者 (4件)： 茶谷原昭義 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究ラボ) ,  杢野由明 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究ラボ) ,  坪内信輝 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究ラボ) ,  山田英明 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究ラボ)
資料名： Synthesiology  (Synthesiology)
巻： 3  号： 4  ページ： 272-280  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： L6839A  ISSN： 1882-6229  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンド気相成長に関して概説し,単結晶CVDダイヤモンド合成,特にホモエピタキシャル成長における課題解決のための高プラズマ密度化,窒素添加効果などに関して解説した。さらに,超硬質材料であるダイヤモンドをウェハ状に加工する手段に関し,下記事項などについて解説した。1)気相法によるダイヤモンド合成の発展,2)マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド単結晶の合成,3)マイクロ波プラズマCVD法装置の概要,4)結晶成長速度の窒素流量依存性,5)異常成長粒子発生の抑制,6)単結晶の合成の大型化とウェハ化,7)スマートカットとダイレクトウェハ化。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *ダイヤモンド ,  プラズマ ,  *プラズマCVD ,  成長速度 ,  *結晶成長 ,  気相成長 ,  *エピタクシー ,  緻密化 ,  窒素 ,  添加物効果 ,  *超硬材料 ,  改変 ,  *超精密加工
準シソーラス用語： *単結晶ダイアモンド ,  マイクロ波プラズマ ,  *マイクロ波プラズマ化学蒸着 ,  結晶成長速度 ,  *エピタキシャル成長 ,  高密度化 ,  *超硬質材料 ,  大型化 ,  *プラズマ化学的気化加工法

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

引用文献 (61件)：

• [1]角谷 均, 戸田直大, 佐藤周一: 高品質大型ダイヤモンド単結晶の開発, SEIテクニカルレビュー 166, 7-12 (2005).
• [2]犬塚直夫, 澤邊厚仁:ダイヤモンド薄膜, 産業図書 (1987).
• [3]N. Fujimori: Materials Science and Technology, edited by R.W. Cahn et al., p.344, VCH Verlagsgesellschaft mbH (1996).
• [4]P.K. Bachmann and W.V. Enckevort: Diamond deposition technologies, Diamond Related Mater., 1, 1021-1034 (1992).
• [5]S.T. Lee et al.: CVD diamond films: Nucleation and growth, Mater. Sci. Eng., R25, 123-154 (1999).

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶ダイヤモンド ,  ウェハ ,  開発 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  大型