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J-GLOBAL ID：201002272601620629   整理番号：10A0366235

InGaAsの間歇蒸着により作製した高度積層高品質の量子ドット

Highly Stacked and High-Quality Quantum Dots Fabricated by Intermittent Deposition of InGaAs

著者 (5件)： SUGAYA Takeyoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  AMANO Takeru (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  MORI Masahiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  NIKI Shigeru (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  KONDO Michio (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 3,Issue 1  ページ： 030211.1-030211.3  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsの間歇蒸着とAs₂源により歪補償技術を用いずに,高度に積層し(≧50層),十分に整列し,結晶品質が劣化しないInGaAs量子ドット構造を作製することに成功した。比較的高温でのInGaAs層の間歇蒸着は,GaAsとの小さな格子不整合にも拘らず,InGaAs量子ドットの形成を説明する。光ルミネセンス測定は50層InGaAs量子ドット構造が高い結晶品質を有する一方,多層InAs量子ドットの結晶品質は四層構造でも悪いことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  品質 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  光ルミネセンス ,  積層構造 ,  多層膜 ,  蒸着 ,  *薄膜成長 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 高品質 ,  間歇蒸着 ,  結晶品質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• A. Luque, C. Marti, N. Lopez, E. Antolin, F. Canovas. C. Stanley. C. Farmer, and P. Diaz: J. Appl. Phys.99(2006)094503.
• L. Marti, N. Lopez, E. Antolin, E. Canovas, A. Luque, C. Stanley. C. Farmer, and P. Diaz: Appl. Phys. Lett.90(2007)233510.
• K. Akahane, N. Ohtani, Y. Okada, and M. Kawahe: J. Cryst. Growth 245(2002)31.
• R. Oshima, T. Hashimoto, H. Shigekawa, and Y. Okada: J. Appl. Phys.100(2006)083110.
• R. Oshinw, Y. Shoji, A. Takata, and Y. Okada: J. Cryst. Growth 311(2009)1770.

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  間歇 ,  蒸着 ,  作製 ,  高度 ,  高品質 ,  量子ドット