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J-GLOBAL ID：201002273241833592   整理番号：10A1114267

高品質グラフェンエレクトロニク用の窒化ホウ素基板

Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics

著者 (11件)： DEAN C. R. (Columbia Univ., New York, USA) ,  YOUNG A. F. (Columbia Univ., New York, USA) ,  MERIC I. (Columbia Univ., New York, USA) ,  LEE C. (Sungkyunkwa Univ., Suwon, KOR) ,  WANG L. (Columbia Univ., New York, USA) ,  SORGENFREI S. (Columbia Univ., New York, USA) ,  WATANABE K. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI T. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KIM P. (Columbia Univ., New York, USA) ,  SHEPARD K. L. (Columbia Univ., New York, USA) ,  HONE J. (Columbia Univ., New York, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 5  号： 10  ページ： 722-726  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能グラフェン素子用基板として六方晶系-窒化ホウ素(h-BN)は高いバンドギャップ,表面の平滑性,グラフェンとの格子不整合が小さい,等の優れた特性を有することが期待される。h-BN基板上にグラフェン素子を作製し,その特性を調べた。ゲート電圧-抵抗曲線はゲート電圧0近傍の電荷中性点に電気抵抗の極めて狭いピークを示した。電気伝導度とキャリア密度はほぼ直線関係にあり,移動度μ_cはSiO₂基板上の約三倍の60,000cm²V^-s^-を示し,短距離散乱からの電気抵抗への寄与ρ_sはSiO₂上と同等の71Ωを示した。電界効果移動度μ_FEは電荷中性点付近で25,000~140,000cm²V^-s^-に達した。磁気伝導度測定からもh-BN基板上のグラフェン素子の高品質が確認された。二層グラフェンについても電子特性を測定した。

シソーラス用語： 単一層 ,  *グラファイト ,  固体素子 ,  *窒化ホウ素 ,  基板 ,  電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  *グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高品質 ,  窒化ホウ素