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J-GLOBAL ID：201002273297620478   整理番号：10A0617839

量子井戸を持つ成長のままおよびアニールしたMgZnO/ZnO構造中の浅い中心と深い中心

Shallow and Deep Centers in As-Grown and Annealed MgZnO/ZnO Structures with Quantum Wells

著者 (8件)： POLYAKOV A. Y. (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  SMIRNOV N. B. (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  GOVORKOV A. V. (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  KOZHUKHOVA E. A. (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  BELOGOROKHOV A. I. (Inst. Rare Metals, Moscow, RUS) ,  NORTON D. P. (Univ. Florida, FL, USA) ,  KIM H. S. (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON S. J. (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 5  ページ： 601-607  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOと3元ZnMgO固溶体はII-VI広バンドギャップ半導体材料で,GaN系青色,紫外線発光ダイオード用の代替材料として期待されている。本稿では,パルスレーザ蒸着したZnO(P)/MgZnO/MgZnO/ZnO(Ga)量子井戸(QW)構造について調べた。成長のままとアニールした構造で,共にマイクロカソードルミネセンスが見られた。これはこの構造中のQWにキャリアが閉じ込められたことを示している。アニールにより浅い補償されていないドナー濃度を大幅に低減させた。また,アニールにより活性化エネルギーが変化,バンドエッジルミネセンス強度の低減と,それにより深いルミネセンスバンドを作る深い補償欠陥を与えることを示した。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *酸化マグネシウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  焼なまし ,  発光ダイオード ,  *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  陰極線ルミネセンス ,  量子閉込め ,  ドナー ,  活性化エネルギー ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： MgO ,  ZnO ,  アニール ,  カソードルミネセンス ,  酸化物半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子井戸 ,  成長 ,  アニール ,  ZnO