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J-GLOBAL ID：201002273530122033   整理番号：10A0581012

プラズマベースイオン注入・堆積のための正プラズマバイアス法

Positive-plasma-bias method for plasma-based ion implantation and deposition

著者 (4件)： IKEHATA T. (Inst. of Applied Beam Sci., Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN) ,  SASAKI R. (Inst. of Applied Beam Sci., Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN) ,  TANAKA T. (Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hiroshima Inst. of Technol., JPN) ,  YUKIMURA K. (Dep. of Electrical Engineering, Doshisha Univ., 1-3 Tatara-Miyakodani, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, JPN)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 204  号： 18-19  ページ： 2881-2891  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマベースイオン注入・堆積(PBII&D)の新しいオプションとして,正プラズマバイアス(PPB)法を探求した。PPB方法では,プラズマはアース電位のターゲットに対して,正のバイアスが加わっている。それはPBII&D処理の間のターゲットの取り扱いや,その場プロセス監視の場合などには利益があるが,必要なPPB条件を満たすためには,特別な考慮が必要になる。この報告では,PPB法の基礎と,著者のグループが長年行ってきた応用を報告した。最初に,作動原理,ジオメトリー,電位と電流の分布を説明した。次に,特徴,考えられる長所および欠点について議論した。最後に,PPB方法の応用として,環境に優しいプラズマクリーニングと,絶縁体作製のための複式プラズマイオンプロセスを報告した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *プラズマ応用 ,  *バイアス ,  *プラズマ ,  *電圧 ,  原理 ,  形態 ,  電位分布 ,  電流分布 ,  利益 ,  欠陥 ,  放電洗浄 ,  応用研究 ,  絶縁材料 ,  *表面処理 ,  *堆積 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *PBII&D ,  PBII法【プラズマ】 ,  PPB ,  バイアス電圧 ,  プラズマイオン注入 ,  プラズマクリーニング ,  メリット ,  欠点 ,  作動原理 ,  *正プラズマバイアス

分類 (2件)： 放射線による構造と物性の変化一般  (BK16121W) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ ,  イオン注入 ,  堆積