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J-GLOBAL ID：201002273920507033   整理番号：10A1542896

高アスペクト比のナノ規模鋳型を用いたUVナノインプリントリソグラフィーにおける解放特性の評価

Assessment of release properties in UV nanoimprint lithography using high-aspect-ratio nanoscale molds

著者 (3件)： TAKAHASHI Junki (Dep. of Applied Electronics, Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  TANIGUCHI Jun (Dep. of Applied Electronics, Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN) ,  KAMIYA Yasuhiro (Dep. of Applied Electronics, Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6M23  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外ナノインプリントリソグラフィー(UV-NIL)はナノ製造の強力な潜在的手段である。しかし,解放段階で必要とされる強い力は解放被覆層を劣化させ,パターン複製中の欠陥及び鋳型の最終的破壊をもたらす。従って,被覆解放の最適条件が必要である。さらに,UV-NILにおける解放特性評価に推奨されている1000インプリントは非常に時間を要する。大表面積の鋳型及び高アスペクト比(>15)のナノ規模パターンを成功裏に移動できるこれ迄に作製した鋳型を用いて解放層の耐久性は変えられると考えられる。本研究では,この方法を用いて解放被覆の最適条件を調べ,UV-NILにおける解放特性を,測定した解放力と複製回数に従って評価した。その結果,解放被覆の条件を以下のように最適化した:パターンの高さが1300nmの高アスペクト比鋳型における浸漬時間24時間,洗浄後ベーク温度100°C,ベーク時間3分。大表面積鋳型を用いた加速耐久性試験では,低い解放力により解放被覆層の寿命が延びた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  アスペクト比 ,  *鋳型【鋳造】 ,  被覆層 ,  *パターン形成 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  高アスペクト比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高アスペクト比 ,  規模 ,  鋳型 ,  UVナノインプリントリソグラフィー ,  解放 ,  評価