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J-GLOBAL ID：201002274038073465   整理番号：10A0346702

二ビーム顕微鏡による大面積直接書込み集束イオンビームリソグラフィー

Large area direct-write focused ion-beam lithography with a dual-beam microscope

著者 (4件)： IMRE Alexandra (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439) ,  OCOLA Leonidas E. (Center for Nanoscale Materials, Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439) ,  RICH Lauren (Dep. of Physics, Missouri Univ. of Sci. and Technol., Rolla, Missouri 65409) ,  KLINGFUS Joseph (Raith USA, Ronkonkoma, New York 11779)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 2  ページ： 304  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FEI Nova Nanolab600二ビーム顕微鏡中で大面積(多重書込場)のパターン形成を行うための集束イオンビーム(FIB)直接書込みリソグラフィーの性能を調べた。装置は16ビットDACパターン発生装置とソフトウェアを備えたRAITH ELPHY LITHOGRAPHY制御インタフェイスと100nm分解能のX-Y卓とからなる。構成,プロセスパラメータ,手順に関する鍵となる問題を論じた。切換誤差,パターン再現性,揺動を特性化した。オフセットリソグラフィー(オフセット書込場による多重露光)と切換誤差を補正するための視野内レジストレーションマークを評価し,1×1.4mm²の領域を網羅する試験用微小流体素子を作製した。オフセットリソグラフィーと視野内レジストレーションマスク補正法を用いて,切換誤差を<<100nmに維持できることを示した。また,FIB装置の静電走査による高速ビーム偏向と電磁走査による広く広がった電子ビーム装置により,FIBリソグラフィーは約200~500nm(材料に依存する)の深さの典型的加工深度に対して電子ビームリソグラフィーと同様の高速度が得られることが分かった。これは反応法によるパターン転写が困難あるいは不可能である多くの材料に道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *集束イオンビーム ,  *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  プロセスパラメータ ,  顕微鏡 ,  オフセット ,  フルイディクス ,  マスク ,  電子ビーム ,  マイクロフルイディクス
準シソーラス用語： イオンビームリソグラフィー ,  微小流体素子

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビーム ,  顕微鏡 ,  大面積 ,  直接書込み ,  集束 ,  イオンビームリソグラフィー