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J-GLOBAL ID：201002274368507550   整理番号：10A1039671

ナノスケール配線の形状変動とCu/低k誘電体の時間依存ブレークダウンに及ぼすその影響

Geometric Variability of Nanoscale Interconnects and Its Impact on the Time-Dependent Breakdown of Cu/Low-k Dielectrics

著者 (4件)： LEE Shou-Chung (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  LEE Shou-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  OATES Anthony S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Kow-Ming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 10  号： 3  ページ： 307-316  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局部的導体形状の変動,またはラインエッジラフネス(LER)が先端ナノスケール配線の低k信頼性に大きな影響を与えていることが明らかになっている。この変動が配線間の誘電体厚さを変化させ,局部的電界を高めている。同様にビアと仮想配線の位置合わせずれもビアと上層配線間の誘電体厚さを減少させる。本稿は,LERのある隣接配線間の統計的厚さ分布を考慮することにより,ブレークダウンの場所は電圧の関数であり,高電圧では最少厚さの所で発生するが低電圧では中間厚さに移動することを示した。この概念を使用して,LERは不良分布の関数形に変化を与え,電圧についてのWeibullβに系統的変化をもたらすことを示した。これらの効果を説明するために,正確な信頼性解析には新しい信頼性外挿法が必要である。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  信頼性 ,  配線 ,  誘電率 ,  表面粗さ ,  *回路パターン形成 ,  絶縁破壊 ,  バイアホール ,  レジストレーション【画像】 ,  電圧 ,  多孔性
準シソーラス用語： TDDB ,  ブレークダウン電圧 ,  *ラインエッジラフネス ,  位置合わせ ,  *時間依存性誘電体破壊 ,  銅配線

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  Cu ,  低k誘電体 ,  時間依存 ,  ブレークダウン