文献

J-GLOBAL ID：201002274693036319   整理番号：10A0398660

新型パワーモジュール用第6世代IGBTと薄ウェーハダイオード

著者 (4件)： 高橋徹雄 (三菱電機) ,  藤井亮一 (三菱電機) ,  吉浦康博 (三菱電機) ,  本田成人 (三菱電機)
資料名： 三菱電機技報
巻： 84  号： 4  ページ： 224-227  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,パワーデバイスの用途は,産業,民生,電鉄,電力などに加え,昨今の環境問題への取組みなどによって,自動車用,新エネルギー用など様々な分野に広がり,その規模も拡大している。同時に,環境や電子機器の動作への悪影響を防止する法規制に対応するため,低損失化,低ノイズ化,高耐量化,高信頼性化など,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やダイオードに求められる性能は年々厳しくなっている。三菱電機は,これらの要求にこたえるため,プレーナ型IGBT(第3世代),トレンチ型IGBT(第4世代),電荷蓄積型IGBT(CSTBT)(第5世代)などを開発してきた。今回,更なる特性向上とコストダウンを目指し,新型パワーモジュール用として第6世代IGBTと薄ウェーハダイオードを開発した。第6世代のIGBTは,1)高エネルギー注入技術を用いた特性の安定化,2)薄ウェーハ化プロセスを適用した特性改善,3)微細化プロセスを用いた特性改善と最適化によって性能指数FOM(Figure Of Merit)で31%の改善を実現した。薄ウェーハダイオードは,1)薄ウェーハ化プロセスを適用した特性改善,2)カソードのプロファイルの最適化によって順方向電圧降下V_Fを改善し,FOMで38%の改善を実現した。この新型パワーモジュール用第6世代IGBTと薄ウェーハダイオードの開発をベースにして,様々な製品向けの新チップを順次開発していく。(著者抄録)

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  *回路モジュール ,  ダイオード ,  IGBT ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *パワーモジュール ,  パワーデバイス

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• Takahashi, T., et al.: CSTBT^TM (III) as the next generation IGBT, Proceedings of ISPSD 2008, 72~75(2008)
• Sato, K. et al.: New chip design technology for next generation power module, Proceedings of PCIM 2008, 673~678(2008)
• Takahashi, H. et al.: Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor (CSTBT) -A Novel Power Device for High Voltage Application, ISPSD'96, 349~352(1996)
• Nakamura, K. et al.: Advanced Wide Cell Pitch CSTBTs Having Light Punch-Through (LPT) Structures, ISPSD'02, 277~280(2002)

タイトルに関連する用語 (5件)： パワーモジュール ,  世代 ,  IGBT ,  ウェーハ ,  ダイオード