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J-GLOBAL ID：201002275133599993   整理番号：10A1542951

極端紫外レジスト性能に及ぼす現像化学の影響

Impact of development chemistry on extreme ultraviolet resist performance

著者 (1件)： GRONHEID Roel (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6S1  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラブチル水酸化アンモニウム(TBAH)は極端紫外(EUV)フォトレジストの水溶性塩基現像用の有望な材料と認識されている。本論文では,この新しい材料の長所と適用性をさらに調べた。一般に,通常のテトラメチル水酸化アンモニウムに比べ,TBAHは線幅粗さや感度性能に影響しない。しかし,幾つかのレジストのパターン崩壊性能は改善する。パターン崩壊はEUVに対する重要な故障機構であるので,TBAHはこれらの材料の最終的分解能を向上させ,より小さなクリティカルディメンジョン(CD)を目標とする露光過剰を可能にする。対照的に,幾つかの他のレジストプラットフォームはそれらのパターン崩壊挙動に及ぼすTBAHの影響を示さない。現像時の化学的表面特性の改質に基づいてこの観測を説明する機構を提案した。この機構は独立した接触角測定により支持される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 極端紫外線 ,  *フォトレジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  表面粗さ ,  長さ ,  *回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  表面性状 ,  現像 ,  表面改質
準シソーラス用語： ラインエッジ粗さ ,  クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： テトラブチルアミニウム・ヒドロキシド

タイトルに関連する用語 (3件)： 極端紫外レジスト ,  現像 ,  化学