文献

J-GLOBAL ID：201002275371897366   整理番号：10A0731665

二重パターン形成用の単純化した「リソ-クラスタのみ」の解

Simplified-“Litho-Cluster-Only”-Solution for Double Patterning

著者 (11件)： TANAKA H. (JSR Corp., Mie, JPN) ,  HOSHIKO K. (JSR Corp., Mie, JPN) ,  SHIMOKAWA T. (JSR Corp., Mie, JPN) ,  HOEFNAGELS H. F. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  KELLER D. E. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  WANG S. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  TANRISEVEN O. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  MAAS R. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  MALLMANN J. (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  SHIGEMORI K. (SOKUDO Co., Ltd., Shiga, JPN) ,  ROSSLEE C. (SOKUDO Co., Ltd., Shiga, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.2  ページ： 76391V.1-76391V.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在得られる最先端の液浸装置でも32nmの1:1線/空間を一回露光で印刷できない。一回露光水浸リソグラフィーと極端紫外線の間隙を埋める最も有望な技術として二重パターン形成(DP)技術が現れた。本論文ではDP用の単純化した「リソ-クラスタのみ」の方法を示した。この上塗りなしの熱凍結工程は26nmの1:1線/空間を作製できる可能性が極めて高い。また,熱凍結工程の欠陥数はハイエンド液浸工程に対する欠陥数に近い。

シソーラス用語： *多重露光 ,  *フォトリソグラフィー ,  クラスタ ,  回路パターン形成 ,  *半導体プロセス ,  凍結
準シソーラス用語： *二重パターン形成 ,  熱凍結

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重パターン形成 ,  単純化 ,  クラスタ ,  解