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J-GLOBAL ID：201002275554209850   整理番号：10A1104362

裏面反射層としてポリイミドを用いた結晶シリコン太陽電池の作製

著者 (7件)： 高遠秀尚 (産業技術総合研) ,  富樫千穂 (産業技術総合研) ,  SOE Win Maw (PI技研) ,  五島敏之 (PI技研) ,  佐藤貴裕 (PI技研) ,  菊地靖雄 (PI技研) ,  坂田功 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15P-ZB-14  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *裏面 ,  *反射 ,  *ポリイミド ,  *スクリーン印刷 ,  電流電圧特性 ,  短絡電流 ,  テキスチャード加工 ,  高分子薄膜
準シソーラス用語： 開放電圧 ,  曲線因子 ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反射層 ,  ポリイミド ,  結晶シリコン太陽電池 ,  作製