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J-GLOBAL ID：201002275977028673   整理番号：10A1340487

電子構造計算からのMg₂Si_1-xSb_x内のMg空格子点誘起半導体特性

Mg-Vacancy-Induced Semiconducting Properties in Mg₂Si_1-xSb_x from Electronic Structure Calculations

著者 (4件)： TOBOLA Janusz (AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL) ,  TOBOLA Janusz (ENSMN, Nancy, FRA) ,  KAPRZYK Stanislaw (AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL) ,  SCHERRER Hubert (ENSMN, Nancy, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 9  ページ： 2064-2069  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コヒーレント・ポテンシャル近似によるKorringa-Kohn-Rostoker法(KKR-CPA)による電子構造計算を用いて,不規則Mg_2-δSi_1-xSb_x(0<x<0.5,0<δ<0.5)における,結晶安定性,電子構造,電子輸送特性についての空格子欠陥の影響を理論的に検討した。固溶体と元素固体の全エネルギーの比較から導かれるように,Mg₂Si_1-xSb_x内のSb濃度が増すにつれて,形成エネルギーは,急速に正値になる傾向があることを,初めて示した。全エネルギー特性は,アンチモン濃度に対するFermi準位における,状態密度の強い増加を伴う。Mg₂Si_1-xSb_x2重正孔ドナーとしてのMg空格子点の役割を明確にし,Sbと空格子点濃度が変化するときの電子構造の著しい変化を明確にした。

シソーラス用語： *電子構造 ,  *空格子点 ,  半導体 ,  近似法 ,  エレクトロトランスポート ,  安定性 ,  *格子欠陥 ,  *全エネルギー ,  固溶体
準シソーラス用語： *Korringa-Kohn-Rostoker法 ,  電子輸送

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子構造計算 ,  Mg ,  空格子点 ,  誘起