文献

J-GLOBAL ID：201002276590291690   整理番号：10A0491070

(113)B配向GaAs基板上に成長させたGaAs/AlAs結合多重層空洞における強い和周波数発生

Strong Sum Frequency Generation in a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity Grown on a (113)B-Oriented GaAs Substrate

著者 (5件)： TANAKA Fumiya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TAKAHASHI Tomoya (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORITA Ken (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  KITADA Takahiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  ISU Toshiro (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DG01.1-04DG01.3  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/AlAs結合多重層空洞構造において実現される二つの空洞モードを用いて強い和周波数発生(SFG)を証明した。この空洞構造では中間的な分布Bragg反射体多重層により二つのGaAs半波長空洞層が結合されている。結合された多重層空洞構造は分子線エピタキシーにより(113)B GaAs上に成長させた。光学反射スペクトルにおいて1514および1540nmで3.3THzの光学周波数差をもつ二つの空洞モードを明白に観測した。100fsパルスを用いた二つの空洞モードの同時励起により室温SFGおよび第二調波発生(SHG)を測定した。SFG信号のピーク強度は(113)B GaAs基板だけからのSHG信号のそれより400倍以上大きく,GaAsの有効2次非線形性が空洞効果により強く増強されることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化アルミニウム ,  *ヘテロ接合 ,  *和周波数発生 ,  光反射 ,  スペクトル ,  *第二高調波発生
準シソーラス用語： SHG【高調波】 ,  光反射スペクトル

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (15件)：

• T. Tanabe, K. Suto, J. Nishizawa, K. Saito, and T. Kimura: Appl. Phys. Lett.83(2003)237.
• T. Taniuchi and H. Nakanishi: J. Appl. Phys.95(2004)7588.
• I. Tomita, H. Suzuki, H. Ito, H. Takenouchi, K. Ajito, R. Rungsawang, and Y. Ueno: Appl. Phys. Lett.88(2006)071118.
• R. Köhler, A. Tredicucci, F. Beltram, H. E. Beere, E. H. Linlield, A. G. Davies, D. A. Ritchie, R. C. lotti, and F. Rossi: Nature 417(2002)156.
• B. S. Williams: Nat. Photonics 1(2007)517.

タイトルに関連する用語 (8件)： 配向 ,  GaAs基板 ,  成長 ,  GaAs ,  AlAs ,  多重層 ,  空洞 ,  和周波数発生