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J-GLOBAL ID：201002276874742374   整理番号：10A1102343

レーザー照射によるシリコン表面ナノ複合構造と表面増強ラマン散乱

著者 (7件)： 吉田裕 (北大) ,  谷津茂男 (北大) ,  渡辺精一 (北大) ,  西島喜明 (北大 電子科研) ,  上野貢生 (北大 電子科研) ,  三澤弘明 (北大 電子科研) ,  加藤隆彦 (日立 材料研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-E-7  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体 ,  *ケイ素 ,  *パルスレーザ照射 ,  ナノ秒 ,  Nd-YAGレーザ ,  *表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  Ramanスペクトル ,  ナノ構造 ,  複合構造 ,  ナノドット ,  *構造

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザー照射 ,  シリコン ,  ナノ複合 ,  表面増強ラマン散乱