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J-GLOBAL ID：201002276985837706   整理番号：10A1103749

剥離層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製

著者 (12件)： 飯島仁史 (北大 電子科研) ,  宮村壮太 (北大 電子科研) ,  中島秀朗 (北大 電子科研) ,  井田惣太郎 (北大 電子科研) ,  小田島聡 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (JST-CREST) ,  西尾崇 (北大 大学院) ,  松尾保孝 (北大 電子科研) ,  居城邦治 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-P13-12  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *剥離 ,  *層 ,  金属 ,  埋込み【挿入】 ,  *半導体 ,  柱 ,  量子ドット ,  メサ構造 ,  光子相関 ,  転写 ,  シランカップリング剤 ,  再現性 ,  歩留り ,  MOMBE ,  ヒ化インジウム ,  電子ビームリソグラフィー ,  ドライエッチング ,  二酸化ケイ素 ,  真空蒸着 ,  銀 ,  金属薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  面積 ,  レーザ顕微鏡 ,  単一光子 ,  *柱状構造 ,  立体
準シソーラス用語： アンチバンチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 剥離層 ,  埋め込み ,  ピラー ,  作製