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J-GLOBAL ID：201002277315109404   整理番号：10A0685165

EUVL HVMプロジェクション光学のための高反射率多層

High reflectance multilayers for EUVL HVM-projection optics

著者 (10件)： LOUIS E. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  VAN HATTUM E. D. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  ALONSO VAN DER WESTEN S. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  SALLE P. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  GROOTKARZIJN K. T. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  ZOETHOUT E. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  BIJKERK F. (FOM Inst. Plasma Physics Rijnhuizen, Nieuwegein, NLD) ,  BIJKERK F. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  VON BLANCKENHAGEN G. (Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU) ,  MUELLENDER S. (Carl Zeiss SMT AG, Oberkochen, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7636  号： Pt.2  ページ： 76362T.1-76362T.5  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのASMLプロセス開発ツールにより,13.5nm光線によるリソグラフィープロセスの可能性が示されている。これらのツールの多層コーティングは,代表的反射率65%であり,光学システムの高スループットを示している。これらのプロセス開発ツールのための光学的コーティングにより,基板製造分野と多層技術分野に大きな進展をもたらしている。本稿では,プロジェクション光学の特性素子のコーティング性能について検討した。それにより,ピーク反射率および効果的に制御されたラテラルコーティングプロファイルを同時に達成し,EUV光学の厳しい仕様に適合可能であることを示した。また,その実現した高反射率により,量産用ツールとして活用可能性を示した。特殊な保護層を着けた総合反射率は,69.6%のピーク値をもつ68%であった。

シソーラス用語： 極端紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  画像 ,  *反射率 ,  多層 ,  リソグラフィー ,  被覆 ,  スループット ,  プロセス開発
準シソーラス用語： EUV ,  *EUVリソグラフィー ,  コーティング ,  プロジェクション画像 ,  プロファイル ,  保護層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： EUVL ,  プロジェクション ,  光学 ,  高反射率 ,  多層