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J-GLOBAL ID：201002280976710008   整理番号：10A1124761

Fe₃O₄を経由したGaAs量子井戸へのスピン偏極電子透過:スピン配向の光学解析

Spin polarized electron transmission into GaAs quantum well across Fe₃O₄: Optical spin orientation analysis

著者 (6件)： WADA E. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  SHIRAHATA Y. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  NAITO T. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  ITOH M. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  YAMAGUCHI M. (Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furu-cho, Chikusa- ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  TANIYAMA T. (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency, 3-5 Sanbancho, Chiyoda- ku, Tokyo 102-0075, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 17  ページ： 172509  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Fe₃O₄/GaAs量子井戸界面を横切る電子スピン透過機構について,相補的光学的方法,すなわち,光誘起スピン配向下のエレクトロルミネセンスとスピン依存光電流測定の偏光解析,によって研究した。スピン注入条件下の量子井戸における自由励起子再結合を原因とするエレクトロルミネセンスから見積もって,10Kで40%以上のスピン偏極率が求まった。他方,スピン依存光電流のバイアス依存性測定から,Fe₃O₄のスピンフィルタ効果による2つの顕著なピークの存在が明かになり,これによって,磁気絶縁体Fe₃O₄のスピン分離障壁構造の情報が明かになった。これらの結果を総合することで,Fe₃O₄を交差する高能率スピン注入の機構が明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スピン分極 ,  輸送 ,  *エレクトロトランスポート ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  *強磁性体 ,  鉄化合物 ,  酸化物 ,  磁鉄鉱 ,  絶縁材料 ,  エピタクシー ,  薄膜 ,  エレクトロルミネセンス ,  励起子 ,  光伝導 ,  界面 ,  光電流 ,  電圧 ,  依存性 ,  計測 ,  偏光解析法 ,  注入 ,  効率 ,  フィルタ ,  効果 ,  電子 ,  絶縁体
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  スピンフィルタ ,  スピン注入 ,  スピン偏極 ,  バイアス電圧 ,  高効率 ,  *電子輸送 ,  偏光解析

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  量子井戸 ,  スピン偏極 ,  電子 ,  透過 ,  スピン配向 ,  光学解析