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J-GLOBAL ID：201002282241558230   整理番号：10A0750726

垂直結合SiGe二重量子ドット

Vertical-coupled SiGe double quantum dots

著者 (9件)： LI C.B. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  LI C.B. (JST-SORST) ,  YAMAHATA G. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAHATA G. (JST-SORST) ,  XIA J.S. (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN) ,  MIZUTA H. (Univ. Southampton, Hampshire, GBR) ,  ODA S. (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ODA S. (JST-SORST) ,  SHIRAKI Y. (Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 13  ページ： 940-941  発行年： 2010年06月24日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強結合多重Si系量子ドットはスピン-ゼロ原子核の支配による長い非コヒーレンス時間のために,量子情報デバイス応用に,最近,強い関心が寄せられている。静電気相互作用,コヒーレント波動関数結合および関連する準分子状態のユニークな特性が研究対象となっている。本レターでは,垂直強結合SiGe二重量子ドットをつくり,低温での正孔輸送特性を測定した。分子線エピタクシーの精密な制御により,短い空間距離の強結合二重量子ドットを実現できた。裏面と側面のゲート電圧を変調することによりコヒーレント結合を観察できた。

シソーラス用語： ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *量子ドット ,  多重量子井戸 ,  垂直 ,  結合モデル ,  量子遷移 ,  近距離相互作用 ,  準分子 ,  *コヒーレンス ,  電流電圧特性 ,  Coulombブロッケード ,  ゲート【半導体】 ,  *SOI構造 ,  MBE成長

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 垂直 ,  SiGe ,  二重量子ドット