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J-GLOBAL ID：201002282293543826   整理番号：10A0597952

カルーセルスパッタ法で作製した高異方性磁界を持つCoFeB膜におけるスパッタ粒子の異方性入射効果

Anisotropically Incident Effect of Sputtering Particles on the High Anisotropy Field of a CoFeB Film in the Carrousel Sputtering Method

著者 (5件)： 今泉良一 (崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所) ,  宗像誠 (崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所) ,  大越正敏 (九州工業大学情報工学部) ,  槙孝一郎 (住友金属鉱山株式会社) ,  青木振一 (崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 34  号： 3  ページ： 226-231 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カルーセルスッパタ法により(Co₃₅Fe₆₅)₈₇B₁₃膜をRu下地層上に作製し,それらの膜の静磁気特性,結晶構造に対する下地層の影響を調べた。その結果を,モンテカルロシミュレーションを行い,スッパタ粒子の異方性入射効果について解析した。実験結果から以下の知見が得られ,異方性入射効果が一軸異方性磁界の発現の主要因であった。1)CoFeB/Ru二層膜では580Oeの異方性磁界が観測され,bctCoFe格子の一方向についてbcc格子の1~2%程度の伸びを示す。2)カルーセルスッパタ法では粒子の異方性入射が顕著に存在し,基板の移動方向に粒子間隔が増加する,3)Co,Fe粒子間にB粒子が侵入し,bccFeCo構造からbctFeCo構造への変化をもたらす

シソーラス用語： *異方性磁場 ,  *磁性薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  鉄合金 ,  コバルト含有合金 ,  ホウ素含有合金 ,  ルテニウム ,  結晶構造 ,  静磁場 ,  *磁気異方性 ,  軟磁性材料 ,  *入射角 ,  マグネトロンスパッタリング ,  雑音低減
準シソーラス用語： *異方性磁界 ,  *スパッタリング蒸着法 ,  *二層膜 ,  *磁性微粒子

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• 1) M. Yamaguchi: IEE J., 123, 716, (2003).
• 2) M. Yamaguchi, and K. I. Arai: J. Magn.Soc.Jpn., 25, 59, (2001).
• 3) K. Ikeda, K. Kobayashi, K. Ota, R. Kondo, T. Suzuki, and M. Fujimoto: IEEE Trans. Magn., 39, 3057, (2003).
• 4) S. H. Kong, T. Okamoto, and S. Nakagawa: IEEE. Trans. Magn., 39, 2285, (2003).
• 5) M. Namikawa, M. Munakata, M. Yagi, M. Motoyama, S. Yabukami, Y. Shimada, M. Yamaguchi, and K. I. Arai: J.Magn.Soc.Jpn., 27, 371, (2003).

タイトルに関連する用語 (6件)： カルーセル ,  スパッタ法 ,  作製 ,  異方性磁界 ,  スパッタ粒子 ,  異方性