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J-GLOBAL ID：201002284514700940   整理番号：10A0346754

電界エミッタアレイの製作に二重層膜を用いたイオン誘起曲げ現象の増強

Enhancement of ion-induced bending phenomenon using a double-layered film for field emitter array fabrication

著者 (3件)： YOSHIDA T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  NAGAO M. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  KANEMARU S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 2  ページ： C2C1  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン誘起曲げ(IIB)現象に基づいた電界エミッタアレイ(FEA)の簡単な製作技術を提案した。この技術は,片持梁の形成とその後のイオン照射を含む非常に簡単な二段階プロセスである。しかし,実用的イオン線量で垂直薄膜エミッタを形成するために使用できるのは,限定厚みの数種の特定膜材料のみである。従って,IIB現象の増強法が必要である。IIB現象を増強するために,二重層膜法を提案した。イオン誘起曲げ効果が,二重層膜法を用いて極めて増強できることが分かった。その結果として,必要線量は,片持梁膜に重元素を用いる場合に5×10¹⁵cm^-2未満まで減らすことができた。この方法は,FEA素子構造の簡単な製作技術としてイオン誘起曲げの可能性を増大させる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電極 ,  アレイ ,  多層膜 ,  *曲げ ,  *片持梁 ,  *イオン照射 ,  照射線量 ,  薄膜 ,  垂直 ,  膜厚 ,  元素
準シソーラス用語： 二重層 ,  重元素 ,  電界エミッタ

分類 (3件)： 弾性力学一般  (HC02010M) ,  放射線物理一般  (BK16010L) ,  梁,桁  (HD03020H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電界エミッタアレイ ,  製作 ,  二重層 ,  イオン ,  誘起 ,  曲げ ,  現象 ,  増強