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J-GLOBAL ID：201002284642956540   整理番号：10A1063543

電子線ホログラフィーで究める物質科学 電子線ホログラフィーによる半導体デバイスのドーパント分布観察

著者 (1件)： 平山司 (ファインセラミックスセ ナノ構造研)
資料名： 顕微鏡  (Microscopy)
巻： 45  号： 3  ページ： 143-146  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： Y0541A  ISSN： 1349-0958  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイス内のドーパント分布の観察は重要な要素技術であるが,ドーパント元素を直接観察することは困難である。ドーパントの分布が形成する電位分布を電子線ホログラフィーで計測する手法を開発した。本論文では,電子線ホログラフィーを用いて半導体に含まれるドーパントの分布を観察する方法について述べた。また,観察例として電界効果トランジスタのドーパント分布観察と,ヒ化ガリウム(GaAs)多層膜モデルサンプルのドーパント分布観察を取り上げて紹介した。

シソーラス用語： *ホログラフィー ,  *ドーパント ,  不純物分布 ,  電位分布 ,  *半導体素子 ,  FET【トランジスタ】 ,  ヒ化ガリウム ,  多層膜 ,  可視化
準シソーラス用語： 電子線ホログラフィー

分類 (2件)： ホログラフィーの応用  (BD03074U) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (15件)：

• 1)Gabor, D.: Nature, 161, 777-778 (1948)
• 2)Tonomura, A.: Advances in Physics, 41, 59-103 (1992)
• 3)Lichte, H.: Ultramicroscopy, 20, 293-304 (1986)
• 4)Frabboni, S., Matteucci, G. and Pozzi, G.: Phys. Rev. Lett., 55, 2196-2199 (1985)
• 5)McCartney, M., Smith, D., Hull, R., Bean, J., Voelkl, E. and Frost, B.: Appl. Phys. Lett., 65, 2603-2605 (1994)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子線ホログラフィー ,  物質科学 ,  半導体デバイス ,  ドーパント ,  分布 ,  観察