文献

J-GLOBAL ID：201002287291864678   整理番号：10A1127514

軟X線照射により誘起される単層カーボンナノチューブからのイオン脱離

Ion Desorption from Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Soft X-ray Illumination

著者 (10件)： MERA Yutaka (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUJIWARA Takayuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIZAKI Kiichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  XIANG Rong (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIOMI Junichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MARUYAMA Shigeo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAKIUCHI Takuhiro (Graduate Univ. Advanced Studies, Ibaraki, JPN) ,  MASE Kazuhiko (Graduate Univ. Advanced Studies, Ibaraki, JPN) ,  MASE Kazuhiko (KEK, Ibaraki, JPN) ,  MAEDA Koji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 10  ページ： 105104.1-105104.5  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,C 1s核励起エネルギー範囲における軟X線照射により誘起される単層炭素ナノチューブ(SWNT)からのイオン脱離を調べ,同様な励起により引き起こされる欠陥形成機構への洞察を行なった。飛行時間(TOF)分光計により脱離イオンの質量を分析し,照明に用いた単色光子エネルギーの関数として,イオン収量あるいは脱離効率スペクトルの光子エネルギー依存性を測定した。実験結果は,ナノチューブを構成する炭素原子の単純な脱離が欠陥形成の原因ではないことを示した。また,C-H結合破壊に付随する炭素原子の光誘起エッチングも欠陥形成機構から除外した。光誘起脱離を説明するためのAuger機構を検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *軟X線 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *X線照射 ,  *脱着 ,  質量分析計 ,  飛行時間法 ,  *イオン
準シソーラス用語： イオン脱離

分類 (1件)： イオン放出  (BM09070V)

引用文献 (33件)：

• S. Iijima and T. Ichihashi: Nature 363(1993)603.
• J. W. G. Wildoer, L. C. Venema, A. G. Rinzler, R. E. Smalley, and C. Dekker: Nature 391(1998)59.
• A. Vijayaraghavan, K. Kanzaki, S. Suzuki, Y. Kobayashi, H. Inokawa, Y. Ono, S. Kar, and P. M. Ajayan: Nano Lett.5(2005)1575.
• T. Ando, H. Matsumura, and T. Nakanishi: Physica B 323(2002)44.
• Y.-W. Son, J. Ihm, M. L. Cohen, S. G. Louie. and H. J. Choi: Phys. Rev. Lett.95(2005)216602.

タイトルに関連する用語 (5件)： 軟X線 ,  誘起 ,  単層カーボンナノチューブ ,  イオン ,  脱離