文献

J-GLOBAL ID：201002288511851897   整理番号：10A1012625

湿気のある環境下におけるダイアモンドチップによるシリコンの応力誘起ナノ酸化:複合量子-古典シミュレーション研究

Stress-induced nano-oxidation of silicon by diamond-tip in moisture environment: A hybrid quantum-classical simulation study

著者 (4件)： OGATA Shuji (Dep. of Scientific and Engineering Simulation, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho ...) ,  ABE Yuya (Dep. of Scientific and Engineering Simulation, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho ...) ,  OHBA Nobuko (Dep. of Scientific and Engineering Simulation, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho ...) ,  KOBAYASHI Ryo (Dep. of Scientific and Engineering Simulation, Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso-Cho ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 6  ページ： 064313  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,水素終端処理したSi(001)とナノサイズの水素終端処理ダイヤモンドチップの間に挿入されたナノサイズの水滴の化学反応に対する数値シミュレーションを,チップが表面に対して滑り込む場合と押し込まれた場合について報告する。密度関数理論で記述される量子領域を古典的原子の全体系に埋め込んだ複合量子-古典シミュレーション法を用いて,現実的なセッティングにおけるシミュレーション計算を実行した。チップと表面の接触領域の時間発展を追跡するために,計算の際に適応できる量子領域を選択する機能を追加した。チップが水滴を押し,シリコン表面が水分子と弱く相互作用する場合,チップはチップ端に非常に近い独特な準安定状態内へ水滴から水分子を引きつける。チップをシリコン表面へさらに滑り込ませた場合,あるいは押し込んだ場合,もし分子が表面の窪んだ構造内に捕捉されると,準安定状態における水分子は,接触領域に集中した高応力のために分解し表面を酸化する。一方,もし水分子がチップと表面間に十分な領域を見いだすと,水分子はチップと表面の結合特性を変えずに逃げ出してしまう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 湿潤 ,  ダイヤモンド ,  チップ ,  *ケイ素 ,  シミュレーション ,  *酸化 ,  *応力 ,  水滴 ,  理論 ,  準安定状態 ,  半導体
準シソーラス用語： 湿気 ,  *シリコン ,  シミュレーション解析 ,  水素終端 ,  密度関数理論

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 湿気 ,  環境 ,  ダイアモンドチップ ,  シリコン ,  応力 ,  誘起 ,  酸化 ,  量子 ,  シミュレーション ,  研究