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J-GLOBAL ID：201002288988415100   整理番号：10A0252987

光および電子ビームリソグラフィー用のスピンコート可能なHfO₂レジスト

Spin-coatable HfO₂ resist for optical and electron beam lithographies

著者 (9件)： SAIFULLAH M. S. M. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci. Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  KHAN M. Z. R. (The Nanoscience Centre, Univ. of Cambridge, 11 J. J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FF, GBR) ,  HASKO David G. (The Nanoscience Centre, Univ. of Cambridge, 11 J. J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FF, GBR) ,  LEONG Eunice S. P. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci. Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  NEO Xue L. (Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543, SGP) ,  GOH Eunice T. L. (Dep. of Chemistry, National Univ. of Singapore, 3 Sci. Drive 3, Singapore 117543, SGP) ,  ANDERSON David (Dep. of Physics, Semiconductor Physics Lab., Univ. of Cambridge, Madingley Road, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  JONES Geraint A. C. (Dep. of Physics, Semiconductor Physics Lab., Univ. of Cambridge, Madingley Road, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  WELLAND Mark E. (The Nanoscience Centre, Univ. of Cambridge, 11 J. J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FF, GBR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 28  号： 1  ページ： 90  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体としてのHfO₂の通常のパターン形成は,酸化物堆積,光リソグラフィー,及びハードマスクエッチングを含む多重ステップ型の複雑な工程である。HfO₂パターン形成の工程を簡素化するために,直接書き込み用の光および電子ビーム敏感スピンコート可能なHfO₂レジストを開発した。ハフニウムテトラ-tert-ブトキシドとnブタノール中のベンゾイルアセトンを反応させてレジストを作成し,空気中で極めて安定であることを確認した。Fourier変換赤外研究から,照射光に曝すとレジストから有機物質が次第に除去され,過剰無機物を含むレジストに転化した。このため,露光したレジストがエタノールのような有機溶媒に不溶性になり,幅が10nm程度まで小さい高分解能のネガパターンが実現する。high-kゲート絶縁体にゾル-ゲル誘導HfO₂レジストを使い,シリコン-オン-絶縁体電界効果トランジスタを作成し,広範囲の温度域で評価した。室温では,比較的高いゲート漏れ電流が観測され,これは素子性能を劣化させるが,低温ではこの漏れ電流が強く抑制された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子線レジスト ,  *フォトレジスト ,  フォトリソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  スピンコーティング ,  *酸化ハフニウム ,  パターン形成 ,  FTIR分光法 ,  ゾル-ゲル法 ,  *ゲート【半導体】 ,  漏れ電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  SOI構造 ,  芳香族ケトン ,  ジケトン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ベンゾイルアセトン

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィー ,  スピンコート ,  HfO2 ,  レジスト